Полупроводниковые наноструктуры на основе двумерного дителлурида молибдена (MoTe₂)

Получена: 2026-05-30

Опубликована: 2026-06-06

Аннотация

Развитие электронной промышленности во всём мире наряду с расширением приоритетов зелёной энергетики подчеркнуло возрастающую значимость возобновляемых и интеллектуальных материалов в решении глобальных энергетических проблем. В этом контексте полупроводниковые материалы на основе двумерных (2D) дихалькогенидов переходных металлов (TMD), особенно структуры MoTe₂, привлекают значительное внимание ведущих научно-исследовательских центров благодаря высоким функциональным характеристикам и относительно менее требовательным экспериментальным условиям их получения. Полупроводниковая природа, высокая химическая стабильность и регулируемая электронная структура MoTe₂ делают его весьма перспективным материалом для создания высокоэффективных наноэлектронных и оптоэлектронных устройств. В настоящее время разработаны многочисленные подходы к изготовлению полупроводниковых нанотранзисторов на основе MoTe₂ в условиях высокого вакуума, регулированию характеристик электрического переноса с помощью ионных жидкостей и улучшению оптоэлектронных характеристик для создания эффективных функциональных устройств.

Список литературы

  1. Gao, X.; Vaidya, S.; Li, K.; Ju, P.; Jiang, B.; Xu, Z.; Allcca, A.E.L.; Shen, K.; Taniguchi, T.; Watanabe, K. Nuclear spin polarization and control in hexagonal boron nitride. Nat. Mater. 2022, 21, 1024–1028. [Google Scholar] [CrossRef] [PubMed]

  2. Ogawa, S.; Fukushima, S.; Shimatani, M. Hexagonal Boron Nitride for Photonic Device Applications: A Review. Materials 2023, 16, 2005. [Google Scholar]

  3. Kim, K.K.; Lee, H.S.; Lee, Y.H. Synthesis of hexagonal boron nitride heterostructures for 2D van der Waals electronics. Chem. Soc. Rev. 2018, 47, 6342–6369. [Google Scholar]

  4. Choi, Y.; Kang, J.; Jariwala, D.; Kang, M.S.; Marks, T.J.; Hersam, M.C.; Cho, J.H. Low-Voltage Complementary Electronics from Ion-Gel-Gated Vertical Van der Waals Heterostructures. Adv. Mater. 2016, 28, 3742–3748. [Google Scholar]

  5. Chen, Y.; Xing, W.; Wang, X.; Shen, B.; Yuan, W.; Su, T.; Ma, Y.; Yao, Y.; Zhong, J.; Yun, Y. Role of oxygen in ionic liquid gating on two-dimensional Cr2Ge2Te6: A non-oxide material. ACS Appl. Mater. Interfaces 2018, 10, 1383–1388. [Google Scholar] [CrossRef]

  6. Wu, E.; Xie, Y.; Zhang, J.; Zhang, H.; Hu, X.; Liu, J.; Zhou, C.; Zhang, D. Dynamically controllable polarity modulation of MoTe2 field-effect transistors through ultraviolet light and electrostatic activation. Sci. Adv. 2019, 5, eaav3430. [Google Scholar] [CrossRef]

  7. Nguyen, P.H.; Nguyen, D.H.; Kim, H.; Jeong, H.M.; Oh, H.M.; Jeong, M.S. Synergistic hole-doping on ultrathin MoTe2 for highly stable unipolar field-effect transistor. Appl. Surf. Sci. 2022, 596, 153567. [Google Scholar]

  8. Chen, J.; Feng, Z.; Fan, S.; Shi, S.; Yue, Y.; Shen, W.; Xie, Y.; Wu, E.; Sun, C.; Liu, J. Contact engineering of molybdenum ditelluride field effect transistors through rapid thermal annealing. ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, 9, 30107–30114. [Google Scholar] [CrossRef]

  9. Avsar, A.; Vera-Marun, I.J.; Tan, J.Y.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Castro Neto, A.H.; Ozyilmaz, B. Air-stable transport in graphene-contacted, fully encapsulated ultrathin black phosphorus-based field-effect transistors. ACS Nano 2015, 9, 4138–4145. [Google Scholar] [PubMed]

  10. Ryu, H.; Lee, Y.; Kim, H.J.; Kang, S.H.; Kang, Y.; Kim, K.; Kim, J.; Janicek, B.E.; Watanabe, K.; Taniguchi, T. Anomalous Dimensionality-Driven Phase Transition of MoTe2 in Van der Waals Heterostructure. Adv. Funct. Mater. 2021, 31, 2107376. [Google Scholar]

  11. Mishra, Y.K.; Murugan, N.A.; Kotakoski, J.; Adam, J. Progress in electronics and photonics with nanomaterials. Vacuum 2017, 146, 304–307. [Google Scholar] [CrossRef]

  12. Nazarov, A.; Balestra, F.; Kilchytska, V.; Flandre, D. Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting; Springer: Berlin/Heidelberg, Germany, 2014. [Google Scholar]

  13. Kamyshny, A.; Magdassi, S. Conductive nanomaterials for printed electronics. Small 2014, 10, 3515–3535. [Google Scholar] [PubMed]

  14. Dwivedi, N.; Kumar, S.; Carey, J.D.; Dhand, C. Functional nanomaterials for electronics, optoelectronics, and bioelectronics. J. Nanomater. 2015, 2015, 136465. [Google Scholar] [CrossRef]

  15. Razzokov, J.; Marimuthu, P.; Saidov, K.; Ruzimuradov, O.; Mamatkulov, S. Penetration of Chitosan into the Single Walled Armchair Carbon Nanotubes: Atomic Scale Insight. Crystals 2021, 11, 1174. [Google Scholar] [CrossRef]

  16. Duong, N.T.; Park, C.; Nguyen, D.H.; Nguyen, P.H.; Tran, T.U.; Park, D.Y.; Lee, J.; Nguyen, D.A.; Oh, J.H.; Yu, Y.S. Gate-controlled MoTe2 homojunction for sub-thermionic subthreshold swing tunnel field-effect transistor. Nano Today 2021, 40, 101263. [Google Scholar] [CrossRef]

Об авторах

Камоладдин Саидов Нураддинович
Уллибиби Сабирова Шариповна

Лицензия

Как цитировать

Полупроводниковые наноструктуры на основе двумерного дителлурида молибдена (MoTe₂). (2026). MMIT Proceedings, 313-318. https://doi.org/10.61587/

Похожие статьи

Вы также можете начать расширеннвй поиск похожих статей для этой статьи.